一种现象的外在表现都有内在机理。

　　锗二极管的温度性能和死区电压之间

　　其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小(死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数(负的)的乘积)。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差。

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